工研院IEEE 發表新世代記憶體論文,為FRAM、MRAM 帶領未來商機 - 科技新報 TechNews

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工研院於 10 日美國舉辦的 IEEE 國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting,IEDM),發表 3 篇鐵電記憶體(Ferroelectric RAM,FRAM)及 3 篇磁阻隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random-Ac...

10 IEEE International Electron Devices MeetingIEDM 3 Ferroelectric RAMFRAM 3 Magnetoresistive Random-Access MemoryMRAM IEDM 5G AI FRAM MRAM FRAM IoT MRAM FRAM FRAM Perovskite FRAM 28 50 AI MRAM IEDM Spin Orbit TorqueSOTMRAM MRAMSOT-MRAM MRAM IED… [+6 chars]

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